DW-AD-621-M8-121接近開關的工作原理

不同類型接近開關的工作原理

??電感式接近開關?

電感式接近開關利用?LC高頻振蕩器和?放大處理電路工作。當金屬物體接近振蕩感應頭時，物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流，反作用于接近開關，使振蕩能力衰減，內(nèi)部電路參數(shù)變化，從而控制開關的通斷。

??電容式接近開關?

電容式接近開關通過測量頭和物體之間的介電常數(shù)變化來工作。當物體移向接近開關時，介電常數(shù)變化導致電路狀態(tài)變化，進而控制開關的接通和關斷。

??霍爾開關?

霍爾開關利用霍爾效應原理工作。當通有電流的金屬或半導體薄片置于磁場中時，兩端產(chǎn)生電位差。霍爾開關將磁信號轉(zhuǎn)換為電信號，用于控制開關動作。

??磁性開關?

磁性開關響應于的磁場。當磁性目標靠近時，線圈的電感量變化，導致電流增加，從而觸發(fā)開關動作。

DW-A-624-M8-121 電感式接近開關作用：
1. 檢測距離: 動作距離是指檢測體按一定方式移動時，從基準位置（接近開關的感應表面）到開關動作時測得的基準位置到檢測面的空間距離。額定動作距離指接近開關動作距離的標稱值。
2. 設定距離：接近開關在實際工作中整定的距離，一般為額定動作距離的0.8倍。
3. 回差值: 動作距離與復位距離之間的。
4. 檢測體：可使接近開關作比較的金屬檢測體。本廠所采用的檢測體為正方形的A3鋼，厚度為1mm，所采用的邊長是接近開關檢測面的2.5倍。
5. 輸出狀態(tài)：分常開和常閉。當無檢測物體時，常開型的接近開關所接通的負載，由于接近開關內(nèi)部的輸出晶體管的截止而不工作，當檢測到物體時，晶體管導通，負載得電工作。
6. 檢測方式：分埋入式和非埋入式。埋入式的接近開關在安裝上為齊平安裝型，可與安裝的金屬物件形成同一表面，非埋入式的接近開關則需把感應頭露出，以達到其長檢測距離的目的。
7.響應頻率f：按規(guī)定的1秒的時間間隔內(nèi)，接近開關動作循環(huán)的次數(shù)。
響應時間t：接近開關檢測到物體時間到接近開關出現(xiàn)電平狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的時間之差。
可用公式換算 t=1/f
8.導通壓降：既接近開關在導通狀態(tài)時，開關內(nèi)輸出晶體管上的電壓降。
以NPN型輸出的接近開關為例
9.輸出形式：分npn二線、npn三線、npn四線、pnp二線、pnp三線、pnp四線、DC二線、AC二線、AC五線等幾種常用的形式輸出。
注意事項
1.當檢測物體為非金屬時，檢測距離要減小，另外很薄的鍍膜層也是檢測不到的。
2.電感式接近開關的接通時間為50ms，所以在用戶產(chǎn)品的設計中，當負載和接近開關采用不同電源時，務必先接通接近開關的電源。
3.當使用感性負載（如燈、電動機等）時，其瞬態(tài)沖擊電流較大，可能劣化或損壞交流二線的接近開關，在這種情況下，請經(jīng)過交流繼電器作為負載來轉(zhuǎn)換使用。
4.請勿將接近開關置于200Gauss以上的直流磁場環(huán)境下使用，以免造成誤動作。
5.DC二線的接近開關具有0.5-1mA的靜態(tài)泄漏電流，在和一些對DC二線接近開關泄漏電流要求較高的場合下盡量使用DC三線的接近開關。
6.避免接近開關在化學溶劑，特別是在強酸，強堿的環(huán)境下使用。
7.本廠產(chǎn)品均為SMD工藝制造，并經(jīng)嚴格的測試合格后才出廠，在一般情況下使用均不會出現(xiàn)損壞。為了保證意外性發(fā)生，請用戶在接通電源前檢查接線是否正確，核定電壓是否為額定值。
8.為了使接近開關長期穩(wěn)定工作，請務必進行定期的維護，包括檢測物體和接近開關的安裝位置是否有移動或松動，接線和連接部位是否接觸不良，是否有金屬粉塵粘附。

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